BSS110E6325 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  BSS110E6325
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies BSS110E6325 Mfr Package Description: TO-92, 3 PIN Package Shape: ROUND Package Style: CYLINDRICAL Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Power Dissipation Ambient-Max: 0.6300 W Channel Type: P-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL Drain Current-Max (ID): 0.1700 A Feedback Cap-Max (Crss): 12 pF DS Breakdown Voltage-Min: 50 V Drain-source On Resistance-Max: 10 ohm
• Количество страниц
  7 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  305,62 KB

BSS110E6325 datasheet скачать

BSS110E6325 datasheet